ECR-MOCVD法外延生长GaN薄膜及其研究

论文发布时间：[2010-03-25] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：薛永奇陈俊芳郭超峰王燕邵士运赵益冉

作者单位：华南师范大学物理与电信工程学院

论文摘要：采用电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积（ECR-MOCVD）在（０００１）面蓝宝石衬底上低温（４５０oC)外延生长了 GaN薄膜。通过等离子体的发射光谱(OES)研究了沉积过程中等离子体内部各基团的基本信息。利用原子力显微镜（AFM）和X射线衍射仪（XRD）对GaN薄膜的表面和结构进行了分析，研究了室温下薄膜的光致发光特性并用台阶仪测试薄膜厚度。结果表明，GaN薄膜表面比较平整，粒径约５０nm，具有（０００２）的择优取向，光致发光谱近带边发光峰的中心波长为３６４nm并且有黄带发光。

关键词： GaN薄膜 ECR-MOCVD 外延生长

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