生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性

论文发布时间：[2010-03-19] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：梅菲付秋明彭挺刘昌

作者单位：武汉大学物理科学与技术学院，声光材料教育部重点实验室

论文摘要：本文研究了用射频等离子体援助分子束外延，生长在蓝宝石衬底上的Al０。３０Ga０。７０N/GaN异质结。２０纳米的Al０。３０Ga０。７０N阻挡层沉积在２微米的半绝缘氮化镓外延层，可以稳定实现室温迁移率１３５０cm２/Vs和面载流子浓度１。０?０１３ cm-２。铁掺杂半绝缘氮化镓缓冲层和N/Ga顺序脉冲原子沉积技术同时实现线位错的减少和表面的平整。X射线衍射，透射电镜和原子力显微镜用来检测此异质结。结构特性显示了平滑的表面，连续清晰的界面，和低密度的线位错。

关键词：分子束外延氮化物高电子迁移率晶体管

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