红外扫描显微镜法研究直拉硅单晶中氧沉淀和诱生缺陷的关系

论文发布时间：[2010-03-26] 范文大全编辑：Voive.net

所有作者：曾俞衡马向阳陈加和杨德仁

作者单位：浙江大学材料系硅材料国家重点实验室

论文摘要：通过红外扫描显微镜法（SIRM）和择优腐蚀加光学显微镜法，我们研究经过不同等温退火处理的直拉硅单晶中氧沉淀尺寸与氧沉淀产生诱生缺陷之间的关系。研究发现，诱生缺陷在氧沉淀生长过程中形成；随后，诱生缺陷的尺寸可以不断增加，而氧沉淀的最大尺寸则几乎没有变化。氧沉淀或存在着某一尺寸范围产生诱生缺陷。据此，我们将诱生缺陷形成时的氧沉淀的最大尺寸定义为氧沉淀产生诱生缺陷的临界尺寸。研究还发现，氧沉淀产生诱生缺陷的临界尺寸在高温下或氧气氛下会减小。

关键词：直拉硅氧沉淀诱生缺陷（二次缺陷） SIRM

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