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Bi掺杂GaAs电子结构和光学性质的理论研究

论文发布时间：[2010-01-19]    范文大全    编辑：Voive.net

所有作者：李奕 章永凡

作者单位：福州大学化学系

论文摘要：采用基于赝势平面波的第一性原理方法，研究了未掺杂和Bi掺杂GaAs晶体的电子结构，以及掺杂前后GaAs晶体的复介电函数和复折射率函数。计算结果表明，Bi掺杂后，GaAs晶体的价带和导带组成发生改变，导致体系光学带隙变窄，从而对GaAs晶体的光学性质产生影响。

关键词： 密度泛函理论 光学性质 掺杂 GaAs

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