Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究

论文发布时间：[2009-12-24] 范文大全编辑：Voive.net

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作者单位：浙江大学硅材料国家重点实验室

论文摘要：采用脉冲激光沉积方法制备出晶体质量较好的Na掺杂p型ZnMgO薄膜，薄膜沿c轴方向柱状生长，p型导电信号可靠。在低阻Ga掺杂(０００１)取向的n-ZnO单晶衬底上生长Na掺杂p型ZnMgO薄膜，制备出p-n结LED原型器件，室温下获得良好的整流特性。室温光致发光图谱显示薄膜有一个位于约３。５２８eV的强带边发光峰，证明MgO确实已经掺入到ZnO晶格中形成Zn１-xMgxO合金晶体。

关键词： Na掺杂 p型ZnMgO LED PLD方法

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